韓国 Samsung が 4G ビット 70nm プロセスの NAND フラッシュメモリを量産開始

韓国 Samsung が 4G ビット 70nm プロセスの NAND フラッシュメモリを量産開始

■トピックスの内容

韓国の Samsung は、2003 年 9 月に開発した 4G ビット / 70nm プロセスの NAND フラッシュメモリの量産を開始すると発表した。今回の量産開始は、フッ化アルゴンを利用したフォトリソグラフィ技術（微細パターンを作成する技術）の採用によって実現したもの。セルの面積は、業界最小の 0.025 平方 μm となる。

メモリの書き込み速度は 16MB / s で、同社製の 2G ビット / 90nm プロセス製品と比較して、50 ％ の高速化が図られている。これにより、HD ビデオ解像度のデータをリアルタイムに処理することが可能となっている。同社は、2005 年末までに、生産量の約 1 / 3 を 4G ビット / 70nm プロセス製品にする予定だ。

調査会社の Gartner Dataquestは、約 80 億ドルと予想される今年の NAND フラッシュメモリ市場の 30 ％ 以上を、同製品が獲得すると見ている。

韓国 Samsung が 4G ビット 70nm プロセスの NAND フラッシュメモリを量産開始

• 韓国Samsung，4Gビット／70nmプロセスのNAND型フラッシュ・メモリーを量産開始 (2005/05/31 IT Pro)
   
• Samsung、70nm製造プロセス採用の4Gb NANDフラッシュの量産開始 (2005/05/31 MYCOM PC WEB)
   
• フラッシュメモリが値下がりへ――Samsungの新型チップ投入で (2005/05/31 ITmedia)