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韓国 Samsung が 4G ビット 70nm プロセスの NAND フラッシュメモリを量産開始■トピックスの内容 メモリの書き込み速度は 16MB / s で、同社製の 2G ビット / 90nm プロセス製品と比較して、50 % の高速化が図られている。これにより、HD ビデオ解像度のデータをリアルタイムに処理することが可能となっている。同社は、2005 年末までに、生産量の約 1 / 3 を 4G ビット / 70nm プロセス製品にする予定だ。 調査会社の Gartner Dataquestは、約 80 億ドルと予想される今年の NAND フラッシュメモリ市場の 30 % 以上を、同製品が獲得すると見ている。 韓国 Samsung が 4G ビット 70nm プロセスの NAND フラッシュメモリを量産開始
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